存儲主控芯片是一種集成電路芯片，用于控制和管理存儲設(shè)備。它負(fù)責(zé)管理多個存儲單元 (如內(nèi)存、固態(tài)硬盤、閃存卡等)之間的數(shù)據(jù)傳輸和存取操作。存儲主控芯片通常包括處理器、內(nèi)存控制器、接口控制器等功能模塊，以實現(xiàn)高效、可靠的數(shù)據(jù)傳輸和存儲管理。

存儲控制芯片通過控制NANDFlash存儲芯片中各個存儲單元電能的儲存及釋放實現(xiàn)數(shù)據(jù)的寫入與擦除，是存儲產(chǎn)品的核心器件。存儲控制芯片需要能夠識別 NANDFlash 存儲芯片中存儲單元的狀態(tài)，避開壞區(qū)實現(xiàn)數(shù)據(jù)的有效寫入，并最大化利用可用區(qū)域提升 NAND Flash 存儲芯片的可用容量。

移動存儲控制芯片設(shè)計需要深厚技術(shù)積累。NAND Flash 的商業(yè)化應(yīng)用已超過 20 年，NANDFlash 存儲晶圓工藝也已經(jīng)歷數(shù)次迭代，移動存儲控制芯片設(shè)計企業(yè)對各品牌存儲晶圓的技術(shù)迭代路徑、工藝特性、性能特點需要進(jìn)行長期的跟蹤、歸納、總結(jié)、沉淀，才能設(shè)計出具備較強(qiáng)兼容性的移動存儲芯片，因此移動存儲控制芯片設(shè)計存在較高的行業(yè)壁壘。

芯邦科技通過自主研發(fā)的專用處理器及Flash控制算法，成功解決了flash應(yīng)用市場中控制芯片難以適應(yīng)、flash快速迭代等老大難問題，引領(lǐng)了該細(xì)分市場的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，并取得了多項專利，徹底改變了該領(lǐng)域一直被海外廠商壟斷供應(yīng)的歷史。

USB控制器芯片

CBM2199E

• 采用BCH ECC糾錯算法,最高支持72bit/1K
• 最高支持16KB/PAGE flash，最高支持8192Page/Block
• 支持3D Nand flash和Toggle flash
• 支持3.3v/1.8v Flash，支持3.3v/1.8v 電壓自動trimming
• Flash電壓、電流可配，PAD/電源地可配置
• 最高頻率166MHz
• 工作電壓1.5-3.8V
• 待機(jī)電流<0.1uA，待機(jī)功耗<0.5uW（低功耗專利）

• 支持3.3V/1.8V，8bit/16bit Nand Flash；
• 支持512B-8KB page size，7bit-43bit ecc糾錯能力
• 創(chuàng)新的不間斷糾錯機(jī)制；
• 支持SD/MMC 1bit/4bit Host讀卡器功能
• 支持SPI host讀卡器功能

• 采用BCH ECC糾錯算法,最高支持72bit/1K
• 最高支持16KB/PAGE flash，最高支持16KPAGE/Block
• 支持3.3v/1.8v Flash，支持3.3v/1.8v 電壓自動trimming
• PAD/電源地可配置，且LDO驅(qū)動能力支持軟件配置。
• 工作電壓：1.7V~3.6V 工作電壓1.5-3.8V
• 待機(jī)電流<0.1uA，待機(jī)功耗<0.5uW（低功耗專利）
• 支持USB2.0/USB3.0

SD卡控制器芯片

CBM3380

• 支持SD2.0/SD3.0協(xié)議
• 采用BCH ECC糾錯算法,最高支持72bit/1K
• 最高支持16KB/PAGE flash，最高支持8KPAGE/Block
• 支持3D Nand flash和Toggle flash
• 支持3.3v/2.5v/1.8v/1.2v Flash，支持3.3v/2.5v/1.8v/1.2v電壓自動trimming
• PAD/電源地可配置，且LDO驅(qū)動能力支持軟件配置。
• 最高頻率208MHz
• 工作電壓：1.1-3.8V
• 待機(jī)電流<0.1mA，待機(jī)功耗<0.5uW（低功耗專利）

• 支持SD2.0協(xié)議
• 采用BCH ECC糾錯算法,最高支持72bit/1K
• 采用55nm工藝，最高頻率166MHz
• 兼容Windows，Linux，MacOS，Andriod等多系統(tǒng)平臺
• 支持VCCQ 3.3V/1.8V  VCC3.3V
• 最高支持16KB/PAGE flash，最高支持4KPAGE/Block
• 支持L型封裝