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芯邦科技自研Flash控制技術(shù) 進(jìn)一步提升存儲(chǔ)產(chǎn)品的價(jià)值

目前,國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)技術(shù)面臨著機(jī)遇和挑戰(zhàn)。首先從需求方面來看,隨著數(shù)字化和智能化的加速推進(jìn),全球?qū)Υ鎯?chǔ)芯片的需求持續(xù)增長(zhǎng)。尤其是在云計(jì)算、大數(shù)據(jù)和人工智能等領(lǐng)域,對(duì)高性能和大容量存儲(chǔ)芯片的需求更加旺盛。
其次,從供給方面來看,盡管國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)技術(shù)在近年取得了一定突破和發(fā)展,但在全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上仍面臨激烈競(jìng)爭(zhēng)。特別是在高端市場(chǎng),國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)技術(shù)與國(guó)際先進(jìn)水平仍有差距。

存儲(chǔ)控制芯片是存儲(chǔ)的核心

作為存儲(chǔ)器產(chǎn)品核心部件之一,存儲(chǔ)控制芯片起到中樞控制和管理調(diào)度的作用,是存儲(chǔ)器產(chǎn)品的“中央處理器”,也是存儲(chǔ)顆粒快速商業(yè)化落地的關(guān)鍵因素。

存儲(chǔ)控制芯片通過控制NANDFlash存儲(chǔ)芯片中各個(gè)存儲(chǔ)單元電能的儲(chǔ)存及釋放實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的寫入與擦除。同時(shí)能夠識(shí)別 NANDFlash 存儲(chǔ)芯片中存儲(chǔ)單元的狀態(tài),避開壞區(qū)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的有效寫入,并最大化利用可用區(qū)域提升 NAND Flash 存儲(chǔ)芯片的可用容量。

芯邦Flash技術(shù)改變行業(yè)格局

作為國(guó)內(nèi)最早布局移動(dòng)存儲(chǔ)控制芯片的公司,深圳芯邦科技股份有限公司將存儲(chǔ)技術(shù)和市場(chǎng)應(yīng)用需求進(jìn)行了很好的結(jié)合,移動(dòng)存儲(chǔ)控制芯片在性能、成本、優(yōu)化速度、兼容性等方面具備優(yōu)勢(shì),改變了該領(lǐng)域一直被海外廠商壟斷供應(yīng)的歷史。
其中芯邦科技的存儲(chǔ)控制芯片基于自主研發(fā)的32位CISC專用處理器及Flash控制算法,成功解決了flash應(yīng)用市場(chǎng)中控制芯片難以適應(yīng)、flash快速迭代等老大難問題,產(chǎn)品可以兼容存儲(chǔ)晶圓原廠的超過1000種NAND Flash存儲(chǔ)芯片,在壞區(qū)識(shí)別、數(shù)據(jù)糾錯(cuò)能力等技術(shù)指標(biāo)方面具備優(yōu)勢(shì),并擁有優(yōu)良的均衡擦寫算法,能夠提高移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備中NAND Flash存儲(chǔ)芯片的容量利用率,并在確保數(shù)據(jù)高效、準(zhǔn)確讀寫的同時(shí),延長(zhǎng)移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備使用壽命。
此外,相較于同行業(yè)普遍采用的通用處理器,芯邦的自研專用處理器指令集更為精簡(jiǎn),減少了不必要的設(shè)計(jì)冗余。在相同制程工藝及功能標(biāo)準(zhǔn)下,芯邦科技移動(dòng)存儲(chǔ)控制芯片的晶粒面積(Die Size)小于主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,以便使其終端產(chǎn)品進(jìn)一步小型化、低功耗化,并且降低芯片成本,增強(qiáng)產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

芯邦科技移動(dòng)存儲(chǔ)控制芯片具備高密度、低成本、低功耗的優(yōu)勢(shì),產(chǎn)品多應(yīng)用于大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ),如U盤、SD 卡、TF卡、固態(tài)硬盤等領(lǐng)域,獲得市場(chǎng)的廣泛認(rèn)可。隨著Flash制程、控制芯片技術(shù)的不斷進(jìn)步以及在高端封裝技術(shù)的推動(dòng)下,芯邦將不斷進(jìn)行技術(shù)迭代,對(duì)存儲(chǔ)控制芯片軟硬件設(shè)計(jì)進(jìn)行更新,為客戶提供更加多元化的存儲(chǔ)解決方案。